Toshiba использует 32 нм NAND память в своих новых SSD накопителях

Японская корпорация Toshiba анонсировала линейку новых твердотельных накопителей, построенных на основе 32 нм чипов NAND памяти с многоуровневыми ячейками (MLC). Новые SSD представляют собой решения в 2,5-дюймовом, 1,8-дюймовом и более компактном форм-факторе. При этом самыми компактными в новой линейке Toshiba стали накопители в форматах Half-Slim и mSATA, входящие в серию SG и имеющие емкость 128 Гб. Эти SSD поддерживают интерфейс SATA 3.0 Gbps и обладают максимальной скоростью чтения и записи данных в 180 и 70 Мб/с соответственно, а среднее время безотказной работы у них достигает одного миллиона часов.

Кроме того, представлены 1,8-дюймовые SSD в семействе HG. Сюда входят модели с защитным корпусом и без оного, а также накопители, выполненные в виде LIF модуля. Их емкость варьируется от 64 до 256 Гб, подключение к компьютеру происходит через интерфейс SATA 3.0 Gbps, а уровень рабочего напряжения составляет 3,3 вольта. Скорость чтения и записи данных у них достигает 250 и 180 Мб/с соответственно.

Наконец, японский производитель анонсировал SSD в форм-факторе 2,5 дюйма, толщина которых составляет 9,5 мм и 7 мм в различных моделях. При этом данные накопители имеют практически те же спецификации, что и 1,8-дюймовые модели, однако уровень рабочего напряжения у них выше и составляет 5 вольт.

Отметим, что емкость моделей с толщиной 9,5 мм достигает 512 Гб, а аналогичный показатель SSD с толщиной 7 мм составляет 256 Гб. Остается добавить, что поставки образцов SSD накопителей Toshiba на базе 32 нм чипов MLC NAND начнутся в течение первого квартала, а массовое производство этих продуктов планируется запустить во втором квартале 2010 года.