Samsung начинает производство 60-нм DRAM-чипов

Компания Samsung сообщает о начале массового производства первых в индустрии чипов памяти DDR2 емкостью 1 Гбит, используя при этом 60-нм техпроцесс. Микросхемы планируется использовать в модулях оперативной памяти объемом 512 Мбайт, 1 Гбайт и даже платах, оснащенных чипами памяти объемом 2 Гбайт. Как заявляют представители корпорации, использование нового 60-нм техпроцесса позволит повысить прибыль с производства чипов на 40% по сравнению с 80-нм техпроцессом и вдвое – по сравнению с 90-нм техпроцессом.

Переход на новые проектные нормы удалось осуществить благодаря следующим нововведениям – использование технологии формирования трехмерной структуры микросхем, использование новой структуры при создании конденсаторов, что позволяет повысить плотность размещения данных. Разработчики также использовали и технологию селективного эпитаксиального наращивания, что позволяет улучшить характеристики транзисторов – увеличение ширины канала, оптимизация движения электронов, что снижает потребляемую чипами мощность и приводит к повышению производительности микросхем. Эти технологии будут использоваться и в будущем – при изготовлении чипов памяти по еще более «тонкому» техпроцессу с 50-нм проектными нормами.

Компания Samsung возлагает на новые 60-нм чипы большие надежды – доход с производства представленных микросхем должен составить $2,3 млрд. уже в течение первого года, а к 2009 году этот показатель должен возрасти до $32 млрд. В дальнейшем 60-нм чипы оперативной памяти будут заменены более прогрессивными 50-нм решениями, массовое производство которых стартует в следующем году.